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歐姆龍MOS FET繼電器的獨(dú)特優(yōu)勢

2025-01-03

隨著5G、AI、消費(fèi)電子的興起,芯片半導(dǎo)體市場規(guī)模保持高速增長,成為未來科技生活的關(guān)鍵點(diǎn)。而半導(dǎo)體新技術(shù)在攻堅(jiān)突破的同時(shí),對芯片尺寸和性能的要求也不斷升級。芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵一環(huán),其電氣性能的測試工序是半導(dǎo)體集成電路制程的比較重要的一道工序。

 

芯片的測試通道需要開關(guān)來控制和切換,繼電器對芯片的測試主要有電源供應(yīng)和信號測量兩大功能,傳統(tǒng)方式采用干簧管繼電器,但MOS FET繼電器具有較高的增益和阻抗。歐姆龍全新上市的G3VM帶電壓驅(qū)動(dòng)型MOS FET繼電器從電流驅(qū)動(dòng)變成電壓驅(qū)動(dòng),同時(shí)其小尺寸更有效利于設(shè)備小型化!

G3VM-31QV / G3VM-61QV產(chǎn)品優(yōu)勢:

1,低阻抗低電容

滿足大負(fù)載電流,低阻抗低電容。現(xiàn)在大部分設(shè)備使用了傳統(tǒng)的干簧管繼電器來進(jìn)行測試,傳統(tǒng)干簧管尺寸體積較大由電流控制,大電流低漏電流,測量角度單一。而G3VM帶電壓驅(qū)動(dòng)型MOS FET繼電器低阻抗低電容,低漏電流,使測量結(jié)果更精確。

2,小尺寸,減少封裝面積

尺寸小,可以有效減少封裝面積,節(jié)省封裝尺寸和其他零件的占板面積,有利于設(shè)備小型化。

3,電壓驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)改為電壓驅(qū)動(dòng),電阻器集成于產(chǎn)品內(nèi)部,只需要加載電壓就能進(jìn)行驅(qū)動(dòng),讓整個(gè)測試過程更為便捷快速。

 

實(shí)際應(yīng)用

適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備、數(shù)據(jù)記錄儀

 

實(shí)現(xiàn)了多種封裝、接點(diǎn)構(gòu)成以及功能,達(dá)200種以上機(jī)型的豐富產(chǎn)品系列,配合推薦的電壓驅(qū)動(dòng)型MOS FET繼電器,歐姆龍選型指南有更多種類的產(chǎn)品可供您選擇。


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