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EE-SX1042微型光電傳感器

EE-SX1042 光電傳感器微型光電傳感器［透過型］ ? 高度為14.5mm的深凹槽型傳感器 ? 印刷線路板實裝型 ? 高分辨率（狹片寬度 0.5mm）高度為14.5mm的深凹槽型傳感器

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EE-SX1042 光電傳感器

微型光電傳感器［透過型］

? 高度為14.5mm的深凹槽型傳感器

? 印刷線路板實裝型

? 高分辨率（狹片寬度 0.5mm）

電氣及光學特性(Ta = 25°C)

項目		記號	特性值			單位	條件
項目		記號	MIN.	TYP.	MAX.	單位	條件
發光側	正向電壓	V_F	——	1.2	1.5	V	I_F= 30mA
	反向電流	I_R	——	0.01	10	μA	V_R= 4V
	最大發光波長	λ_P	——	940	——	nm	I_F= 20mA
受光側	光電流	I_L	0.5	——	10	mA	I_F= 20mA， V_CE= 10V
	暗電流	I_D	——	2	200	nA	V_CE= 10V， 0x
	泄漏電流	I_LEAK	——	——	——	μA	————
	集電極發射極之間的飽和電壓	V_CE(sat)	——	0.1	0.4	V	I_F= 20mA， I_L= 0.1mA
	最大光譜靈敏度波長	λ_P	——	850	——	nm	V_CE= 10V
上升時間		tr	——	4	——	μs	V_CC?= 5V，R_L?= 100Ω I_L?= 5mA
下降時間		tf	——	4	——	μs	V_CC?= 5V，R_L?= 100Ω I_L?= 5mA

絕對最大額定值(Ta = 25°C)

目		記號	額定值	單位
發光側	正向電流	I_F	50*1	mA
	正向脈沖電流	I_FP	1*2	A
	反向電壓	V_R	4	V
受光側	集電極發射極之間的電壓	V_CEO	30	V
	發射極集電極之間的電壓	V_ECO	——	V
	集電極電流	I_C	20	mA
	集電極損耗	P_C	100*1	mW
動作溫度		Topr	－25 ～＋ 85	℃
保存溫度		Tstg	－30 ～＋ 100	℃
焊接溫度		Tsol	260*3	℃